Simulace fotoelektrického transportu ve vysokodporovém CdTe pro detektory rentgenova záření

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F07%3A00004055" target="_blank" >RIV/00216208:11320/07:00004055 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Simulation of photoelectric transport in high-resistivity CdTe for x-ray detectors
Popis výsledku v původním jazyce
Simulation of photoelectric transport in high-resistivity CdTe for x-ray detectors
Název v anglickém jazyce
Simulation of photoelectric transport in high-resistivity CdTe for x-ray detectors
Popis výsledku anglicky
Simulation of photoelectric transport in high-resistivity CdTe for x-ray detectors

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0258" target="_blank" >GA102/06/0258: Vysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku