XPS studie ultratenkých vrstev GaN na GaAs(100)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F08%3A00100477" target="_blank" >RIV/00216208:11320/08:00100477 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs (100)
Popis výsledku v původním jazyce
XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs (100)
Název v anglickém jazyce
XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs (100)
Popis výsledku anglicky
XPS study of the formation of ultrathin GaN film on GaAs (100)
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Surface Science
ISSN
0169-4332
e-ISSN
—
Svazek periodika
254
Číslo periodika v rámci svazku
13
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000255344500065
EID výsledku v databázi Scopus
—