Contribution of surface photovoltage method to diagnostics of materials for solar cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F08%3A00101188" target="_blank" >RIV/00216208:11320/08:00101188 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Contribution of surface photovoltage method to diagnostics of materials for solar cells

Popis výsledku v původním jazyce

Theory of the surface photovoltage effect was generalized with respect to thickness of the samples. It allowed evaluation of minority carriers in thin Si and CdTe wafers and study the effect of nitride protective layers on properties of silicon solar cells.

Název v anglickém jazyce

Contribution of surface photovoltage method to diagnostics of materials for solar cells

Popis výsledku anglicky

Theory of the surface photovoltage effect was generalized with respect to thickness of the samples. It allowed evaluation of minority carriers in thin Si and CdTe wafers and study the effect of nitride protective layers on properties of silicon solar cells.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů