Crystal Structure of Defect-Containing Semiconductor Nanocrystals - an X-Ray Diffraction Study

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00206573" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00206573 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Crystal Structure of Defect-Containing Semiconductor Nanocrystals - an X-Ray Diffraction Study

Popis výsledku v původním jazyce

We have studied the defect structure of semiconductor nanocrystals by x-ray diffraction and Debye-formula simulation

Název v anglickém jazyce

Crystal Structure of Defect-Containing Semiconductor Nanocrystals - an X-Ray Diffraction Study

Popis výsledku anglicky

We have studied the defect structure of semiconductor nanocrystals by x-ray diffraction and Debye-formula simulation

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Crystallography

ISSN

0021-8898

e-ISSN

—

Svazek periodika

42

Číslo periodika v rámci svazku

neuveden

Stát vydavatele periodika

DK - Dánské království

Počet stran výsledku

13

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000268068000014

EID výsledku v databázi Scopus

—