Intra-atomic charge re-organization at the Pb-Si interface: Bonding mechanism at low coverage

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00207075" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00207075 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Intra-atomic charge re-organization at the Pb-Si interface: Bonding mechanism at low coverage

Popis výsledku v původním jazyce

Lead submonolayers on the Si(111) surface in ordered structures of symmetry (root3xroot3)R30° were studied with photoelectron diffraction and ab initio calculations. At 1/3 monolayer coverage Pb atoms flip between up and down positions. This fluctuatinggeometry is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors. The dynamic balance is reflected in the switching of bipyramids from semiconductor to metal characteras a result of the interaction between an unsaturated Pb atom in the T4 position and a saturated Si atom beneath. Substitution of a Pb atom in the 1/3 monolayer coverage with a Si atom results in stabilisation of the neighboring Pb atoms in the up position which is characteristic for Pb atoms in the 1/6 monolayer mosaic phase.

Název v anglickém jazyce

Intra-atomic charge re-organization at the Pb-Si interface: Bonding mechanism at low coverage

Popis výsledku anglicky

Lead submonolayers on the Si(111) surface in ordered structures of symmetry (root3xroot3)R30° were studied with photoelectron diffraction and ab initio calculations. At 1/3 monolayer coverage Pb atoms flip between up and down positions. This fluctuatinggeometry is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors. The dynamic balance is reflected in the switching of bipyramids from semiconductor to metal characteras a result of the interaction between an unsaturated Pb atom in the T4 position and a saturated Si atom beneath. Substitution of a Pb atom in the 1/3 monolayer coverage with a Si atom results in stabilisation of the neighboring Pb atoms in the up position which is characteristic for Pb atoms in the 1/6 monolayer mosaic phase.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Surface Science

ISSN

0039-6028

e-ISSN

—

Svazek periodika

603

Číslo periodika v rámci svazku

18

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000270640700006

EID výsledku v databázi Scopus

—