Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface: High-resolution ARPES and STM investigation

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A10071292" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:10071292 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface: High-resolution ARPES and STM investigation

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Electronic structure of Si(110)-16x2 surface was studied by high reslution angle resolved phtoemission spectroscopy and scanning tunneling microscopy. Four semiconducting bands with flat dispersions at energies 0.2, 0.4, 0.75 and 1.0 eV were observed inthe bulk band gap and more than six states were observed in projected bulk band at energies less than 5.2 eV. Origins of the states are discussed based on the local densty of states obtained by STM. Further, a structural model of the reconstrucion is proposed.

  • Název v anglickém jazyce

    Electronic structure of the Si(110)-(16x2) surface: High-resolution ARPES and STM investigation

  • Popis výsledku anglicky

    Electronic structure of Si(110)-16x2 surface was studied by high reslution angle resolved phtoemission spectroscopy and scanning tunneling microscopy. Four semiconducting bands with flat dispersions at energies 0.2, 0.4, 0.75 and 1.0 eV were observed inthe bulk band gap and more than six states were observed in projected bulk band at energies less than 5.2 eV. Origins of the states are discussed based on the local densty of states obtained by STM. Further, a structural model of the reconstrucion is proposed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2009

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

  • ISSN

    1098-0121

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    79

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000262978400064

  • EID výsledku v databázi Scopus