Fractional quantum Hall effect in CdTe

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10070505" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10070505 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Fractional quantum Hall effect in CdTe
Popis výsledku v původním jazyce
The fractional quantum Hall (FQH) effect is reported in a high mobility CdTe quantum well at millikelvin temperatures. Fully developed FQH states are observed at filling factor 4/3 and 5/3 and are found to be both spin-polarized ground state for which the lowest energy excitation is not a spin flip. This can be accounted for by the relatively high intrinsic Zeeman energy in this single valley two-dimensional electron gas. FQH minima are also observed in the first excited (N=1) Landau level at filling factor 7/3 and 8/3 for intermediate temperatures. In contrast, the 5/2 FQH state remains absent down to T=10 mK.
Název v anglickém jazyce
Fractional quantum Hall effect in CdTe
Popis výsledku anglicky
The fractional quantum Hall (FQH) effect is reported in a high mobility CdTe quantum well at millikelvin temperatures. Fully developed FQH states are observed at filling factor 4/3 and 5/3 and are found to be both spin-polarized ground state for which the lowest energy excitation is not a spin flip. This can be accounted for by the relatively high intrinsic Zeeman energy in this single valley two-dimensional electron gas. FQH minima are also observed in the first excited (N=1) Landau level at filling factor 7/3 and 8/3 for intermediate temperatures. In contrast, the 5/2 FQH state remains absent down to T=10 mK.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)