Optical gain of the 1.54 mu m emission in MBE-grown Si:Er nanolayers

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10081896" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10081896 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical gain of the 1.54 mu m emission in MBE-grown Si:Er nanolayers

Popis výsledku v původním jazyce

We present investigations of the optical gain cross section of 1.54 mým Er-related emission at 4.2 K in Si/Si:Er molecular-beam-epitaxy-grown multinanolayers. This ultranarrow (full width at half maximum below 8 mýeV) emission originating from the uniqueEr-related optical complex, Er-1 center, ensures the best condition to achieve stimulated emission. The experiments were carried out using a combination of the variable stripe length and shifting excitation spot techniques under pulsed and continuous-wave excitations. The comparison of results for both excitation regimes enables to estimate an optical gain within the strong optical losses due to the free carrier absorption. Based on these measurements, the upper limit of the optical gain cross sectionof 10?17 cm2 and the gain coefficient of 8.8 cm?1 are deduced.

Název v anglickém jazyce

Optical gain of the 1.54 mu m emission in MBE-grown Si:Er nanolayers

Popis výsledku anglicky

We present investigations of the optical gain cross section of 1.54 mým Er-related emission at 4.2 K in Si/Si:Er molecular-beam-epitaxy-grown multinanolayers. This ultranarrow (full width at half maximum below 8 mýeV) emission originating from the uniqueEr-related optical complex, Er-1 center, ensures the best condition to achieve stimulated emission. The experiments were carried out using a combination of the variable stripe length and shifting excitation spot techniques under pulsed and continuous-wave excitations. The comparison of results for both excitation regimes enables to estimate an optical gain within the strong optical losses due to the free carrier absorption. Based on these measurements, the upper limit of the optical gain cross sectionof 10?17 cm2 and the gain coefficient of 8.8 cm?1 are deduced.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

81

Číslo periodika v rámci svazku

19

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000278142000058

EID výsledku v databázi Scopus

—