Dislocation-induced electronic levels in semi-insulated CdTe

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10102973" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10102973 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900210013197" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900210013197</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.06.129" target="_blank" >10.1016/j.nima.2010.06.129</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dislocation-induced electronic levels in semi-insulated CdTe
Popis výsledku v původním jazyce
Deformation-induced defects in semi-insulating CdTe and CdZnTe were studied by photoluminescence. The Y-band at 1,474 eV and midgap levels intesify inside and near deformed areas of the samples. The findings demonstrate that dislocation=induced defects degrade charge collection in gamma radiation detectors.
Název v anglickém jazyce
Dislocation-induced electronic levels in semi-insulated CdTe
Popis výsledku anglicky
Deformation-induced defects in semi-insulating CdTe and CdZnTe were studied by photoluminescence. The Y-band at 1,474 eV and midgap levels intesify inside and near deformed areas of the samples. The findings demonstrate that dislocation=induced defects degrade charge collection in gamma radiation detectors.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)