A spin-valve-like magnetoresistance of an antiferromagnet-based tunneljunction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103803" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103803 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/11:00366915

Výsledek na webu

<a href="http://www.nature.com/nmat/journal/v10/n5/full/nmat2983.html" target="_blank" >http://www.nature.com/nmat/journal/v10/n5/full/nmat2983.html</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/NMAT2983" target="_blank" >10.1038/NMAT2983</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A spin-valve-like magnetoresistance of an antiferromagnet-based tunneljunction

Popis výsledku v původním jazyce

A spin valve is a microelectronic device in which high-and low-resistance states are realized by using both the charge and spin of carriers. Spin-valve structures used in modern hard-drive read heads and magnetic random access memories comprise two ferromagnetic electrodes whose relative magnetization orientations can be switched between parallel and antiparallel configurations, yielding the desired giant or tunnelling magnetoresistance effect(1). Here we demonstrate more than 100% spin-valve-like signal in a NiFe/IrMn/MgO/Pt stack with an antiferromagnet on one side and a nonmagnetic metal on the other side of the tunnel barrier. Ferromagnetic moments in NiFe are reversed by external fields of approximately 50 mT or less, and the exchange-spring effect(2) of NiFe on IrMn induces rotation of antiferromagnetic moments in IrMn, which is detected by the measured tunnelling anisotropic magnetoresistance(3). Our work demonstrates a spintronic element whose transport characteristics are gove

Název v anglickém jazyce

A spin-valve-like magnetoresistance of an antiferromagnet-based tunneljunction

Popis výsledku anglicky

A spin valve is a microelectronic device in which high-and low-resistance states are realized by using both the charge and spin of carriers. Spin-valve structures used in modern hard-drive read heads and magnetic random access memories comprise two ferromagnetic electrodes whose relative magnetization orientations can be switched between parallel and antiparallel configurations, yielding the desired giant or tunnelling magnetoresistance effect(1). Here we demonstrate more than 100% spin-valve-like signal in a NiFe/IrMn/MgO/Pt stack with an antiferromagnet on one side and a nonmagnetic metal on the other side of the tunnel barrier. Ferromagnetic moments in NiFe are reversed by external fields of approximately 50 mT or less, and the exchange-spring effect(2) of NiFe on IrMn induces rotation of antiferromagnetic moments in IrMn, which is detected by the measured tunnelling anisotropic magnetoresistance(3). Our work demonstrates a spintronic element whose transport characteristics are gove

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nature Materials

ISSN

1476-1122

e-ISSN

—

Svazek periodika

10

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

347-351

Kód UT WoS článku

000289720000012

EID výsledku v databázi Scopus

—