Ultrafast stimulated emission due to quasidirect transitions in silicon nanocrystals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10104312" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10104312 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/11:00373625
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085321" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085321</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.085321" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.84.085321</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ultrafast stimulated emission due to quasidirect transitions in silicon nanocrystals
Popis výsledku v původním jazyce
We report on a detailed study of ultrafast stimulated emission arising from efficient quasidirect transitions in silicon nanocrystals under femtosecond pumping.
Název v anglickém jazyce
Ultrafast stimulated emission due to quasidirect transitions in silicon nanocrystals
Popis výsledku anglicky
We report on a detailed study of ultrafast stimulated emission arising from efficient quasidirect transitions in silicon nanocrystals under femtosecond pumping.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku