Charge transport and localization in nanocrystalline CdS films: A time-resolved terahertz spectroscopy study
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10104372" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10104372 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/11:00361370
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.155326" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.155326</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.83.155326" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.83.155326</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Charge transport and localization in nanocrystalline CdS films: A time-resolved terahertz spectroscopy study
Popis výsledku v původním jazyce
Assessment of characteristic length and time scales of the charge localization in nanostructured semiconductors is a key point for understanding the initial stage of carrier transport after photoexcitation. A use of time-resolved terahertz spectroscopy and Monte Carlo simulations of the electron motion allow us to obtain this information and develop a microscopic model of the electron transport in a nanocrystalline CdS film. A weak localization is observed inside individual nanocrystals (NCs) while muchstronger localization stems from the existence of NC clusters. The efficiency of the short-range transport is controlled by the excess energy of electrons: Its increase enhances the conductive coupling between adjacent NCs and clusters. Relaxation of electrons with high excess energy then leads to a decrease of their mobility on a sub-ps time scale. Filling of conduction-band states by increasing the optical pump fluence allows us to maintain a high mobility even at later times.
Název v anglickém jazyce
Charge transport and localization in nanocrystalline CdS films: A time-resolved terahertz spectroscopy study
Popis výsledku anglicky
Assessment of characteristic length and time scales of the charge localization in nanostructured semiconductors is a key point for understanding the initial stage of carrier transport after photoexcitation. A use of time-resolved terahertz spectroscopy and Monte Carlo simulations of the electron motion allow us to obtain this information and develop a microscopic model of the electron transport in a nanocrystalline CdS film. A weak localization is observed inside individual nanocrystals (NCs) while muchstronger localization stems from the existence of NC clusters. The efficiency of the short-range transport is controlled by the excess energy of electrons: Its increase enhances the conductive coupling between adjacent NCs and clusters. Relaxation of electrons with high excess energy then leads to a decrease of their mobility on a sub-ps time scale. Filling of conduction-band states by increasing the optical pump fluence allows us to maintain a high mobility even at later times.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
83
Číslo periodika v rámci svazku
15
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
1-6
Kód UT WoS článku
000292151200004
EID výsledku v databázi Scopus
—