Characterization of CZT crystals grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman technique for the preparation of X-ray imaging detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10106105" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10106105 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900210013239" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168900210013239</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2010.06.133" target="_blank" >10.1016/j.nima.2010.06.133</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of CZT crystals grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman technique for the preparation of X-ray imaging detectors

Popis výsledku v původním jazyce

CdZnTe crystals for the preparation of X-ray imaging detectors have been grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman method. The homogeneity of the crystals has been studied by photoluminescence mapping, energy-dispersive X-ray analysis, andresistivity mapping. The zinc distribution follows an anomalous behavior that deviates from the normal freezing equation. The wafers cut perpendicular to the growth direction show a homogeneous resistivity distribution, suggesting the possible exploitation of these crystals for the production of large volume imaging detectors.

Název v anglickém jazyce

Characterization of CZT crystals grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman technique for the preparation of X-ray imaging detectors

Popis výsledku anglicky

CdZnTe crystals for the preparation of X-ray imaging detectors have been grown by the boron oxide encapsulated vertical Bridgman method. The homogeneity of the crystals has been studied by photoluminescence mapping, energy-dispersive X-ray analysis, andresistivity mapping. The zinc distribution follows an anomalous behavior that deviates from the normal freezing equation. The wafers cut perpendicular to the growth direction show a homogeneous resistivity distribution, suggesting the possible exploitation of these crystals for the production of large volume imaging detectors.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP102%2F10%2F0148" target="_blank" >GAP102/10/0148: Vliv inkluzí Te na účinnost radiačních detektorů CdTe a CdZnTe</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research - Section A

ISSN

0168-9002

e-ISSN

—

Svazek periodika

633

Číslo periodika v rámci svazku

—

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

"S92"-"S94"

Kód UT WoS článku

000292782400028

EID výsledku v databázi Scopus

—