Adjusting Morphology and Surface Reduction of CeO(2)(111) Thin Films on Cu(111)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10108232" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10108232 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/jp1121646" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/jp1121646</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/jp1121646" target="_blank" >10.1021/jp1121646</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Adjusting Morphology and Surface Reduction of CeO(2)(111) Thin Films on Cu(111)
Popis výsledku v původním jazyce
Adjustable morphology and degree of reduction represent desirable properties of model oxide substrates for heterogeneous catalysis. We investigate these properties in CeO(2) (ceria) thin films on Cu(111) using scanning tunneling microscopy and photoelectron spectroscopy. We identify growth mechanisms of ceria on Cu(111) formation of incomplete oxide inter acial layer and formation of three-dimensional ceria pyramids by stacking of monolayer-high islands. Using these mechanisms, we control the coverage,the number of open monolayers, and the-setp density of ceria thin films on Cu(111). Annealing in vacuum allows us to control besides the morphology also the degree of ceria surface reduction. We find a correlation between surface reduction and morphological stability in annealed ceria layers. Oriented and stoichiometric thin films of ceria on Cu(111) can be prepared at temperatures as low as 150 and 250 degrees C. Both the morphology and the surface reduction of these films readily chang
Název v anglickém jazyce
Adjusting Morphology and Surface Reduction of CeO(2)(111) Thin Films on Cu(111)
Popis výsledku anglicky
Adjustable morphology and degree of reduction represent desirable properties of model oxide substrates for heterogeneous catalysis. We investigate these properties in CeO(2) (ceria) thin films on Cu(111) using scanning tunneling microscopy and photoelectron spectroscopy. We identify growth mechanisms of ceria on Cu(111) formation of incomplete oxide inter acial layer and formation of three-dimensional ceria pyramids by stacking of monolayer-high islands. Using these mechanisms, we control the coverage,the number of open monolayers, and the-setp density of ceria thin films on Cu(111). Annealing in vacuum allows us to control besides the morphology also the degree of ceria surface reduction. We find a correlation between surface reduction and morphological stability in annealed ceria layers. Oriented and stoichiometric thin films of ceria on Cu(111) can be prepared at temperatures as low as 150 and 250 degrees C. Both the morphology and the surface reduction of these films readily chang
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physical Chemistry C
ISSN
1932-7447
e-ISSN
—
Svazek periodika
115
Číslo periodika v rámci svazku
15
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
7496-7503
Kód UT WoS článku
000289403200043
EID výsledku v databázi Scopus
—