Transport Properties of Fe/GaAs/Ag(001) System
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10126525" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10126525 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68081723:_____/12:00380015
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6556" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6556</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2012.6556" target="_blank" >10.1166/jnn.2012.6556</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Transport Properties of Fe/GaAs/Ag(001) System
Popis výsledku v původním jazyce
We present results of ab initio transport calculations for epitaxial magnetic tunnel junctions Fe/GaAs/Ag(001). The electronic structure is calculated by means of the tight-binding linear muffin-tin orbital method and the ballistic conductances are evaluated within the Kubo-Landauer formalism which includes the effect of the spin-orbit interaction. Particular attention is paid to the dependence of the conductances on the orientation of magnetization direction of the Fe electrode with respect to the crystal lattice and on the thickness of the tunneling barrier. We have found that the in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) exhibits a non-monotonic thickness dependence with a maximum around 7.5 nm of GaAs. This behavior is ascribed to a hybridization of interface resonances formed on both sides of the junction and manifested as hot spots in k(parallel to)-resolved conductances. For thicker GaAs barriers, the relative intensity of the hot spots is reduced on account of the
Název v anglickém jazyce
Transport Properties of Fe/GaAs/Ag(001) System
Popis výsledku anglicky
We present results of ab initio transport calculations for epitaxial magnetic tunnel junctions Fe/GaAs/Ag(001). The electronic structure is calculated by means of the tight-binding linear muffin-tin orbital method and the ballistic conductances are evaluated within the Kubo-Landauer formalism which includes the effect of the spin-orbit interaction. Particular attention is paid to the dependence of the conductances on the orientation of magnetization direction of the Fe electrode with respect to the crystal lattice and on the thickness of the tunneling barrier. We have found that the in-plane tunneling anisotropic magnetoresistance (TAMR) exhibits a non-monotonic thickness dependence with a maximum around 7.5 nm of GaAs. This behavior is ascribed to a hybridization of interface resonances formed on both sides of the junction and manifested as hot spots in k(parallel to)-resolved conductances. For thicker GaAs barriers, the relative intensity of the hot spots is reduced on account of the
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP204%2F11%2F1228" target="_blank" >GAP204/11/1228: Teorie spinově závislého transportu v magnetických pevných látkách a nanostrukturách</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
ISSN
1533-4880
e-ISSN
—
Svazek periodika
12
Číslo periodika v rámci svazku
9
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
7554-7557
Kód UT WoS článku
000308856200109
EID výsledku v databázi Scopus
—