Growth and characterization of stacking fault reduced GaN( 1 0 1($)over-bar 3) on sapphire

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10134082" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10134082 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/12/125308" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/12/125308</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/12/125308" target="_blank" >10.1088/0022-3727/46/12/125308</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Growth and characterization of stacking fault reduced GaN( 1 0 1($)over-bar 3) on sapphire

Popis výsledku v původním jazyce

We present a transmission electron microscope (TEM) and x-ray diffraction (XRD) study of metalorganic vapor phase epitaxy grown GaN(1 0 ($) over bar1 3) layers on m-sapphire with Al(Ga) N interlayers. The interlayers are demonstrated to be beneficial inreducing the stacking fault (SF) density by more than 2.5 orders of magnitude from >2 x 106 cm(-1) to < 5 x 103 cm(-1) as determined by TEM. XRD measurements along the GaN(1 0 <($)over bar>1 2) to the GaN(1 0 ($) over bar1 5) reflection reveal a diffraction component originating in the basal plane SFs. Fitting the XRD signal enables a fast and simple determination of SF type and density which can even distinguish between the GaN buffer and the upper GaN layers and which is in reasonable agreement with TEM measurements.

Název v anglickém jazyce

Growth and characterization of stacking fault reduced GaN( 1 0 1($)over-bar 3) on sapphire

Popis výsledku anglicky

We present a transmission electron microscope (TEM) and x-ray diffraction (XRD) study of metalorganic vapor phase epitaxy grown GaN(1 0 ($) over bar1 3) layers on m-sapphire with Al(Ga) N interlayers. The interlayers are demonstrated to be beneficial inreducing the stacking fault (SF) density by more than 2.5 orders of magnitude from >2 x 106 cm(-1) to < 5 x 103 cm(-1) as determined by TEM. XRD measurements along the GaN(1 0 <($)over bar>1 2) to the GaN(1 0 ($) over bar1 5) reflection reveal a diffraction component originating in the basal plane SFs. Fitting the XRD signal enables a fast and simple determination of SF type and density which can even distinguish between the GaN buffer and the upper GaN layers and which is in reasonable agreement with TEM measurements.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics D - Applied Physics

ISSN

0022-3727

e-ISSN

—

Svazek periodika

46

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000315413600026

EID výsledku v databázi Scopus

—