Tetragonal phase of epitaxial room-temperature antiferromagnet CuMnAs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10140010" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10140010 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/13:00397388

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3322" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3322</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/ncomms3322" target="_blank" >10.1038/ncomms3322</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Tetragonal phase of epitaxial room-temperature antiferromagnet CuMnAs

Popis výsledku v původním jazyce

Recent studies have demonstrated the potential of antiferromagnets as the active component in spintronic devices. This is in contrast to their current passive role as pinning layers in hard disk read heads and magnetic memories. Here we report the epitaxial growth of a new high-temperature antiferromagnetic material, tetragonal CuMnAs, which exhibits excellent crystal quality, chemical order and compatibility with existing semiconductor technologies. We demonstrate its growth on the III-V semiconductorsGaAs and GaP, and show that the structure is also lattice matched to Si. Neutron diffraction shows collinear antiferromagnetic order with a high Neel temperature. Combined with our demonstration of room-temperature-exchange coupling in a CuMnAs/Fe bilayer, we conclude that tetragonal CuMnAs films are suitable candidate materials for antiferromagnetic spintronics.

Název v anglickém jazyce

Tetragonal phase of epitaxial room-temperature antiferromagnet CuMnAs

Popis výsledku anglicky

Recent studies have demonstrated the potential of antiferromagnets as the active component in spintronic devices. This is in contrast to their current passive role as pinning layers in hard disk read heads and magnetic memories. Here we report the epitaxial growth of a new high-temperature antiferromagnetic material, tetragonal CuMnAs, which exhibits excellent crystal quality, chemical order and compatibility with existing semiconductor technologies. We demonstrate its growth on the III-V semiconductorsGaAs and GaP, and show that the structure is also lattice matched to Si. Neutron diffraction shows collinear antiferromagnetic order with a high Neel temperature. Combined with our demonstration of room-temperature-exchange coupling in a CuMnAs/Fe bilayer, we conclude that tetragonal CuMnAs films are suitable candidate materials for antiferromagnetic spintronics.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nature Communications

ISSN

2041-1723

e-ISSN

—

Svazek periodika

4

Číslo periodika v rámci svazku

August

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000323752300007

EID výsledku v databázi Scopus

—