Charge-carrier-induced frequency renormalization, damping, and heating of vibrational modes in nanoscale junctions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10173496" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10173496 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.201405" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.201405</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.201405" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.88.201405</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Charge-carrier-induced frequency renormalization, damping, and heating of vibrational modes in nanoscale junctions

Popis výsledku v původním jazyce

In nanoscale junctions the interaction between charge carriers and the local vibrations results in renormalization, damping, and heating of the vibrational modes. Here we formulate a nonequilibrium Green's function based theory to describe such effects.Studying a generic junction model with an off-resonant electronic level, we find a strong bias dependence of the frequency renormalization and vibrational damping accompanied by pronounced nonlinear vibrational heating in junctions with intermediate values of the coupling to the leads. Combining our theory with ab initio calculations, we furthermore show that the bias dependence of the Raman shifts and linewidths observed experimentally in an oligo(3)-phenylenevinylene (OPV3) junction [Ward et al., Nat.Nanotechnol. 6, 33 (2011)] may be explained by a combination of dynamic carrier screening and molecular charging.

Název v anglickém jazyce

Charge-carrier-induced frequency renormalization, damping, and heating of vibrational modes in nanoscale junctions

Popis výsledku anglicky

In nanoscale junctions the interaction between charge carriers and the local vibrations results in renormalization, damping, and heating of the vibrational modes. Here we formulate a nonequilibrium Green's function based theory to describe such effects.Studying a generic junction model with an off-resonant electronic level, we find a strong bias dependence of the frequency renormalization and vibrational damping accompanied by pronounced nonlinear vibrational heating in junctions with intermediate values of the coupling to the leads. Combining our theory with ab initio calculations, we furthermore show that the bias dependence of the Raman shifts and linewidths observed experimentally in an oligo(3)-phenylenevinylene (OPV3) junction [Ward et al., Nat.Nanotechnol. 6, 33 (2011)] may be explained by a combination of dynamic carrier screening and molecular charging.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP204%2F12%2F0897" target="_blank" >GAP204/12/0897: Role počátečních a otevřených okrajových podmínek v nerovnovážné dynamice elektronů v mesoskopických systémech</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

88

Číslo periodika v rámci svazku

20

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000327161800001

EID výsledku v databázi Scopus

—