Scintillation properties of the Ce-doped multicomponent garnet epitaxial films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10189838" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10189838 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/13:00424555 RIV/68407700:21340/13:00215098
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2013.06.051" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2013.06.051</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2013.06.051" target="_blank" >10.1016/j.optmat.2013.06.051</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Scintillation properties of the Ce-doped multicomponent garnet epitaxial films
Popis výsledku v původním jazyce
(Lu,Y,Gd)(3)(Al,Ga)(5)O-12:Ce garnet scintillator single crystalline films were grown onto LuAG, YAG and GGG substrates by liquid phase epitaxy method. Absorption, radioluminescence spectra and photoluminescence excitation, emission spectra, and decay kinetics were measured. Photoelectron yield, its dependence on amplifier shaping time and energy resolution were determined to evaluate scintillation performance. Most of the samples exhibited strong UV emission caused by trapped excitons and/or Gd3+ 4f-4ftransition. However, emission spectrum of the best performing Gd2YAl5O12:Ce is dominated by the Ce3+ fast 5d-4f luminescence. This sample has outperformed photoelectron yield of all the garnet films studied so far. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Název v anglickém jazyce
Scintillation properties of the Ce-doped multicomponent garnet epitaxial films
Popis výsledku anglicky
(Lu,Y,Gd)(3)(Al,Ga)(5)O-12:Ce garnet scintillator single crystalline films were grown onto LuAG, YAG and GGG substrates by liquid phase epitaxy method. Absorption, radioluminescence spectra and photoluminescence excitation, emission spectra, and decay kinetics were measured. Photoelectron yield, its dependence on amplifier shaping time and energy resolution were determined to evaluate scintillation performance. Most of the samples exhibited strong UV emission caused by trapped excitons and/or Gd3+ 4f-4ftransition. However, emission spectrum of the best performing Gd2YAl5O12:Ce is dominated by the Ce3+ fast 5d-4f luminescence. This sample has outperformed photoelectron yield of all the garnet films studied so far. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP204%2F12%2F0805" target="_blank" >GAP204/12/0805: Pokročilá materiálová řešení pro tenkovrstvé scintilátory a transformátory světla</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Optical Materials
ISSN
0925-3467
e-ISSN
—
Svazek periodika
35
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
2444-2448
Kód UT WoS článku
000326660500068
EID výsledku v databázi Scopus
—