Effect of contact preparation on the profile of the electric field in CdZnTe detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10190133" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10190133 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/39/395102" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/39/395102</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/46/39/395102" target="_blank" >10.1088/0022-3727/46/39/395102</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Effect of contact preparation on the profile of the electric field in CdZnTe detectors

Popis výsledku v původním jazyce

We used the transient-current technique to delineate the effects of different contact metals on the formation of space charge and on the profiles of the electric field in CdZnTe radiation detectors. In contrast to existing results on the polarization ofsemiconductor radiation detectors, we find that detectors with ohmic (Au/Au) contacts may experience a larger distortion of the internal electric field than those having Schottky (Au/In) contacts. We explain this difference by postulating the presence ofa deep hole trap (E_T) below the Fermi energy (E_F), which captures holes generated by the weakly injecting Au anode. The observed behaviour was described successfully by a numerical model relating the energy difference between E_T and E_F and the bandbending at the contacts. We also present results on aging effects that limit the detector's performance and stability over long times.

Název v anglickém jazyce

Effect of contact preparation on the profile of the electric field in CdZnTe detectors

Popis výsledku anglicky

We used the transient-current technique to delineate the effects of different contact metals on the formation of space charge and on the profiles of the electric field in CdZnTe radiation detectors. In contrast to existing results on the polarization ofsemiconductor radiation detectors, we find that detectors with ohmic (Au/Au) contacts may experience a larger distortion of the internal electric field than those having Schottky (Au/In) contacts. We explain this difference by postulating the presence ofa deep hole trap (E_T) below the Fermi energy (E_F), which captures holes generated by the weakly injecting Au anode. The observed behaviour was described successfully by a numerical model relating the energy difference between E_T and E_F and the bandbending at the contacts. We also present results on aging effects that limit the detector's performance and stability over long times.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics D - Applied Physics

ISSN

0022-3727

e-ISSN

—

Svazek periodika

46

Číslo periodika v rámci svazku

39

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000324810400004

EID výsledku v databázi Scopus

—