The effect of the substrate on thermal stability of CeOx and Rh-Ce-O thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F14%3A10289725" target="_blank" >RIV/00216208:11320/14:10289725 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.5503" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/sia.5503</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/sia.5503" target="_blank" >10.1002/sia.5503</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The effect of the substrate on thermal stability of CeOx and Rh-Ce-O thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Cerium oxide doped by a noble metal has been researched intensively for its high catalytic activity. In the presented study, Rh-Ce-O and CeOx thin films were deposited onto SiO2 and Cu substrates by radio-frequency magnetron sputtering. Thermal stabilityof the films was investigated by photoelectron spectroscopy techniques. Our results show that the substrate has a great influence on the stability of the overlayers. Rh-Ce-O deposited on Cu decomposes into rhodium and cerium oxide separate phases above600 K. In contrary, the Rh-Ce-O film on SiO2 remains stable up to 800 K, but silicon migrates from the substrate into the film, forming cerium silicate. We suggest that a strong interaction between SiO2 substrate and Rh-Ce-O, or CeOx films, could be responsible for higher thermal stability compared to films deposited onto Cu.
Název v anglickém jazyce
The effect of the substrate on thermal stability of CeOx and Rh-Ce-O thin films
Popis výsledku anglicky
Cerium oxide doped by a noble metal has been researched intensively for its high catalytic activity. In the presented study, Rh-Ce-O and CeOx thin films were deposited onto SiO2 and Cu substrates by radio-frequency magnetron sputtering. Thermal stabilityof the films was investigated by photoelectron spectroscopy techniques. Our results show that the substrate has a great influence on the stability of the overlayers. Rh-Ce-O deposited on Cu decomposes into rhodium and cerium oxide separate phases above600 K. In contrary, the Rh-Ce-O film on SiO2 remains stable up to 800 K, but silicon migrates from the substrate into the film, forming cerium silicate. We suggest that a strong interaction between SiO2 substrate and Rh-Ce-O, or CeOx films, could be responsible for higher thermal stability compared to films deposited onto Cu.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Interface Analysis
ISSN
0142-2421
e-ISSN
—
Svazek periodika
46
Číslo periodika v rámci svazku
10-11
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
980-983
Kód UT WoS článku
000344987400068
EID výsledku v databázi Scopus
—