Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Towards the evaluation of defects in MoS2 using cryogenic photoluminescence spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F20%3A10411124" target="_blank" >RIV/00216208:11320/20:10411124 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=2mhHw~neSl" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=2mhHw~neSl</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1039/c9nr07246b" target="_blank" >10.1039/c9nr07246b</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Towards the evaluation of defects in MoS2 using cryogenic photoluminescence spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Characterization of the type and density of defects in two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) is important as the nature of these defects strongly influences the electronic and optical properties of the material, especially its photoluminescence (PL). Defect characterization is not as straightforward as it is for graphene films, where the D and D&apos; Raman scattering modes easily indicate the density and type of defects in the graphene layer. Thus, in addition to the Raman scattering analysis, other spectroscopic techniques are necessary to perform detailed characterization of atomically thin TMD layers. We demonstrate that PL spectroscopy performed at liquid helium temperatures reveals the key fingerprints of defects in TMDs and hence provides valuable information about their origin and concentration. In our study, we address defects in chemical vapor deposition (CVD)-grown MoS2 monolayers. A significant difference is observed between the as-grown monolayers compared with the CVD-grown monolayers transferred onto a Si/SiO2 substrate, which contain extra defects due to the transfer process. We demonstrate that the temperature-dependent Raman and PL micro-spectroscopy techniques enable disentangling the contributions and locations of various defect types in TMD systems.

  • Název v anglickém jazyce

    Towards the evaluation of defects in MoS2 using cryogenic photoluminescence spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    Characterization of the type and density of defects in two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) is important as the nature of these defects strongly influences the electronic and optical properties of the material, especially its photoluminescence (PL). Defect characterization is not as straightforward as it is for graphene films, where the D and D&apos; Raman scattering modes easily indicate the density and type of defects in the graphene layer. Thus, in addition to the Raman scattering analysis, other spectroscopic techniques are necessary to perform detailed characterization of atomically thin TMD layers. We demonstrate that PL spectroscopy performed at liquid helium temperatures reveals the key fingerprints of defects in TMDs and hence provides valuable information about their origin and concentration. In our study, we address defects in chemical vapor deposition (CVD)-grown MoS2 monolayers. A significant difference is observed between the as-grown monolayers compared with the CVD-grown monolayers transferred onto a Si/SiO2 substrate, which contain extra defects due to the transfer process. We demonstrate that the temperature-dependent Raman and PL micro-spectroscopy techniques enable disentangling the contributions and locations of various defect types in TMD systems.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10402 - Inorganic and nuclear chemistry

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanoscale

  • ISSN

    2040-3364

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    12

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    3019-3028

  • Kód UT WoS článku

    000516533300063

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85079079417