The structural evolution of light-ion implanted 6H-SiC single crystal: Comparison of the effect of helium and hydrogen

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F20%3A10422968" target="_blank" >RIV/00216208:11320/20:10422968 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21230/20:00341230 RIV/68407700:21340/20:00341230
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=aglmsXDq4D" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=aglmsXDq4D</a>
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The structural evolution of light-ion implanted 6H-SiC single crystal: Comparison of the effect of helium and hydrogen
Popis výsledku v původním jazyce
The microstructure evolution of hydrogen-implanted 6H-SiC at different temperatures and fluences is investigated by using various exerimental techniques.
Název v anglickém jazyce
The structural evolution of light-ion implanted 6H-SiC single crystal: Comparison of the effect of helium and hydrogen
Popis výsledku anglicky
The microstructure evolution of hydrogen-implanted 6H-SiC at different temperatures and fluences is investigated by using various exerimental techniques.

Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt
<a href="/cs/project/GA17-17921S" target="_blank" >GA17-17921S: Nanomateriály tolerantní vůči radiačnímu poškození - design rozhraní s regenerační schopností</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku