Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Modelling Polarization Effects in a CdZnTe Sensor at Low Bias

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F23%3A10472693" target="_blank" >RIV/00216208:11320/23:10472693 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=2Ckpawk_xP" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=2Ckpawk_xP</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.3390/s23125681" target="_blank" >10.3390/s23125681</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Modelling Polarization Effects in a CdZnTe Sensor at Low Bias

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Semi-insulating CdTe and CdZnTe crystals fabricated into pixelated sensors and integrated into radiation detection modules have demonstrated a remarkable ability to operate under rapidly changing X-ray irradiation environments. Such challenging conditions are required by all photon-counting-based applications, including medical computed tomography (CT), airport scanners, and non-destructive testing (NDT). Although, maximum flux rates and operating conditions differ in each case. In this paper, we investigated the possibility of using the detector under high-flux X-ray irradiation with a low electric field satisfactory for maintaining good counting operation. We numerically simulated electric field profiles visualized via Pockels effect measurement in a detector affected by high-flux polarization. Solving coupled drift-diffusion and Poisson&apos;s equations, we defined the defect model, consistently depicting polarization. Subsequently, we simulated the charge transport and evaluated the collected charge, including the construction of an X-ray spectrum on a commercial 2-mm-thick pixelated CdZnTe detector with 330 µm pixel pitch used in spectral CT applications. We analyzed the effect of allied electronics on the quality of the spectrum and suggested setup optimization to improve the shape of the spectrum.

  • Název v anglickém jazyce

    Modelling Polarization Effects in a CdZnTe Sensor at Low Bias

  • Popis výsledku anglicky

    Semi-insulating CdTe and CdZnTe crystals fabricated into pixelated sensors and integrated into radiation detection modules have demonstrated a remarkable ability to operate under rapidly changing X-ray irradiation environments. Such challenging conditions are required by all photon-counting-based applications, including medical computed tomography (CT), airport scanners, and non-destructive testing (NDT). Although, maximum flux rates and operating conditions differ in each case. In this paper, we investigated the possibility of using the detector under high-flux X-ray irradiation with a low electric field satisfactory for maintaining good counting operation. We numerically simulated electric field profiles visualized via Pockels effect measurement in a detector affected by high-flux polarization. Solving coupled drift-diffusion and Poisson&apos;s equations, we defined the defect model, consistently depicting polarization. Subsequently, we simulated the charge transport and evaluated the collected charge, including the construction of an X-ray spectrum on a commercial 2-mm-thick pixelated CdZnTe detector with 330 µm pixel pitch used in spectral CT applications. We analyzed the effect of allied electronics on the quality of the spectrum and suggested setup optimization to improve the shape of the spectrum.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA19-11920S" target="_blank" >GA19-11920S: Transport náboje v pixelových detektorech záření CdZnTe</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2023

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Sensors

  • ISSN

    1424-8220

  • e-ISSN

    1424-8220

  • Svazek periodika

    23

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12

  • Stát vydavatele periodika

    CH - Švýcarská konfederace

  • Počet stran výsledku

    13

  • Strana od-do

    5681

  • Kód UT WoS článku

    001015854000001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85164025185