Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F24%3A10491662" target="_blank" >RIV/00216208:11320/24:10491662 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/24:00585720
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=p1E0EZM2Ct" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=p1E0EZM2Ct</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2023-0815" target="_blank" >10.1515/nanoph-2023-0815</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors
Popis výsledku v původním jazyce
Time-resolved terahertz spectroscopy is used to investigate formation and ultrafast long-distance propagation of electron-hole plasma in strongly photoexcited GaAs and InP. The observed phenomena involve fundamental interactions of electron-hole system with light, which manifest themselves in two different regimes: a coherent one with the plasma propagation speeds up to c/10 (in GaAs at 20 K) and an incoherent one reaching up to c/25 (in InP at 20 K), both over a macroscopic distance >100 mu m. We explore a broad range of experimental conditions by investigating the two materials, by tuning their band gap with temperature and by controlling the interaction strength with the optical pump fluence. Our interpretation suggests that the observed phenomena should occur in most direct band semiconductors upon strong photoexcitation with low excess energy.
Název v anglickém jazyce
Photon-assisted ultrafast electron-hole plasma expansion in direct band semiconductors
Popis výsledku anglicky
Time-resolved terahertz spectroscopy is used to investigate formation and ultrafast long-distance propagation of electron-hole plasma in strongly photoexcited GaAs and InP. The observed phenomena involve fundamental interactions of electron-hole system with light, which manifest themselves in two different regimes: a coherent one with the plasma propagation speeds up to c/10 (in GaAs at 20 K) and an incoherent one reaching up to c/25 (in InP at 20 K), both over a macroscopic distance >100 mu m. We explore a broad range of experimental conditions by investigating the two materials, by tuning their band gap with temperature and by controlling the interaction strength with the optical pump fluence. Our interpretation suggests that the observed phenomena should occur in most direct band semiconductors upon strong photoexcitation with low excess energy.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanophotonics
ISSN
2192-8606
e-ISSN
2192-8614
Svazek periodika
13
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
1859-1871
Kód UT WoS článku
001191870800001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85189180408