Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Photoelectron spectroscopy study of Pu thin films on Si

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F25%3A10499671" target="_blank" >RIV/00216208:11320/25:10499671 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=-fbnqyYbzc" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=-fbnqyYbzc</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1116/6.0004503" target="_blank" >10.1116/6.0004503</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Photoelectron spectroscopy study of Pu thin films on Si

  • Popis výsledku v původním jazyce

    X-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution ultraviolet photoelectron spectroscopy studies were performed on Pu sputter deposited on Si. The intermixing of Pu with Si at deposition can produce different types of Pu-Si systems, which can be subsequently modified by Ar+ ion bombardment. Annealing of thick Pu films leads to a reaction and formation of a compound with stoichiometry approximately PuSi2. Three pronounced narrow spectral features in the energy range to 1 eV below the Fermi energy, which exhibit an anomalous temperature dependence, can be attributed to the 5f(5) final-state multiplet, originating from the 5f(6) admixture in the ground state. (c) 2025 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution (CC BY) license (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/).

  • Název v anglickém jazyce

    Photoelectron spectroscopy study of Pu thin films on Si

  • Popis výsledku anglicky

    X-ray photoelectron spectroscopy and high-resolution ultraviolet photoelectron spectroscopy studies were performed on Pu sputter deposited on Si. The intermixing of Pu with Si at deposition can produce different types of Pu-Si systems, which can be subsequently modified by Ar+ ion bombardment. Annealing of thick Pu films leads to a reaction and formation of a compound with stoichiometry approximately PuSi2. Three pronounced narrow spectral features in the energy range to 1 eV below the Fermi energy, which exhibit an anomalous temperature dependence, can be attributed to the 5f(5) final-state multiplet, originating from the 5f(6) admixture in the ground state. (c) 2025 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution (CC BY) license (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2025

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Vacuum Science and Technology A

  • ISSN

    0734-2101

  • e-ISSN

    1520-8559

  • Svazek periodika

    43

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    043414

  • Kód UT WoS článku

    001522173600001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-105009778660