Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Aktinometrie pro porozumění plazmochemické depozice tenkých vrstev z O2/HMDSO plazmatu

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00014212" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00014212 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We applied actinometry for the calculation of dissociation degree in oxygen CCP discharges used for the deposition from O2/HMDSO plasmas. Dissociation degree exhibited a slight increase with increasing r.f. power and maximum of 20% for 5 Pa of oxygen. This relatively high value was not enough for deposition of SiO2-like films because the HMDSO percentage in the feed was too high at this low oxygen partial pressure. Rapid decrease of dissociation degree to 2-4% for higher oxygen flow rates, i.e. higher pressures resulted in still insufficient oxidation of film precursors.

  • Název v anglickém jazyce

    Actinometry for understanding PECVD of thin films from O2/HMDSO plasmas

  • Popis výsledku anglicky

    We applied actinometry for the calculation of dissociation degree in oxygen CCP discharges used for the deposition from O2/HMDSO plasmas. Dissociation degree exhibited a slight increase with increasing r.f. power and maximum of 20% for 5 Pa of oxygen. This relatively high value was not enough for deposition of SiO2-like films because the HMDSO percentage in the feed was too high at this low oxygen partial pressure. Rapid decrease of dissociation degree to 2-4% for higher oxygen flow rates, i.e. higher pressures resulted in still insufficient oxidation of film precursors.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/1K05025" target="_blank" >1K05025: Příprava nových Si-O(N)-C materiálů plazmochemickou metodou</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2005

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the XXVII ICPIG

  • ISBN

    90-386-2231-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    297

  • Název nakladatele

    Eindhoven University of Technology, Nizozemí

  • Místo vydání

    Eindhoven, Nizozemí

  • Místo konání akce

    Eindhoven, Nizozemí

  • Datum konání akce

    17. 7. 2005

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku