Anizotropie absorpce a luminiscence mnohovrstevných kvantových teček InAs/GaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00014386" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00014386 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Anisotropy of Absorption and Luminescence of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dots
Popis výsledku v původním jazyce
We report here photoluminescence studies of multilayer InAs quantum dot structures grown by MOVPE on (001)-oriented GaAs substrates. AFM measurements reveal prolate shapes of the dots, oriented along the [1-10] direction. Different orientations relativeto the interfaces between the GaAs matrix and InAs dots are probed using polarized excitation and detection. We suggest a possible role of local fields in models of the matrix-dot mixtures in the in-plane anisotropic response.
Název v anglickém jazyce
Anisotropy of Absorption and Luminescence of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dots
Popis výsledku anglicky
We report here photoluminescence studies of multilayer InAs quantum dot structures grown by MOVPE on (001)-oriented GaAs substrates. AFM measurements reveal prolate shapes of the dots, oriented along the [1-10] direction. Different orientations relativeto the interfaces between the GaAs matrix and InAs dots are probed using polarized excitation and detection. We suggest a possible role of local fields in models of the matrix-dot mixtures in the in-plane anisotropic response.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
CP772, Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors
ISBN
0-7354-0257--4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
753-754
Název nakladatele
American Institute of Physics
Místo vydání
USA
Místo konání akce
Flagstaff
Datum konání akce
1. 1. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—