Vysokoteplotní studia kaskádových struktur na bázi Si/SiGe za použití metod rtg rozptylu
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00014587" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00014587 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
Popis výsledku v původním jazyce
Temperature stability of SiGe/Si (80% Ge) structures was studied using x-ray reflectivity during in-situ annealing around temperature 790C.
Název v anglickém jazyce
High temperature investigations of Si/SiGe based cascade structures using x-ray scattering methods
Popis výsledku anglicky
Temperature stability of SiGe/Si (80% Ge) structures was studied using x-ray reflectivity during in-situ annealing around temperature 790C.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
J. Phys. D: Appl. Phys.
ISSN
0022-3727
e-ISSN
—
Svazek periodika
38
Číslo periodika v rámci svazku
10A
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
"A121"-"A125"
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—