Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vliv tlaku na účinnost UV ošetření CVD low-k materiálů za použití různých vlnových délek

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F08%3A00026016" target="_blank" >RIV/00216224:14310/08:00026016 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).

  • Název v anglickém jazyce

    Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths

  • Popis výsledku anglicky

    Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Microelectronic Engineering

  • ISSN

    0167-9317

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    85

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus