Vliv tlaku na účinnost UV ošetření CVD low-k materiálů za použití různých vlnových délek
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F08%3A00026016" target="_blank" >RIV/00216224:14310/08:00026016 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths
Popis výsledku v původním jazyce
Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).
Název v anglickém jazyce
Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths
Popis výsledku anglicky
Low-k dielectrics prepared by CVD in the form of 200 nm thick layers on Si wafers were thermally treated at 410 C and irradiated using UV lamps emitting photons of different wavelengths around 172 nm, 185 nm, and 222 nm. The treatment was performed in high vacuum and under a nitrogen atmosphere at various pressures ranging from 0.1 mbar up to 700 mbar. Subsequently, the samples were investigated using FTIR transmission spectroscopy, contact angle measurement, X-ray photoelectron spectrometry (XPS), time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS), X-ray reflectometry (XRR), surface acoustic wave spectrometry (SAW), and purged UV spectroscopic ellipsometry (PUVSE).
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Microelectronic Engineering
ISSN
0167-9317
e-ISSN
—
Svazek periodika
85
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—