Study of oxygen precipitates in silicon using Bragg and Laue x-ray diffraction

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F08%3A00027771" target="_blank" >RIV/00216224:14310/08:00027771 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of oxygen precipitates in silicon using Bragg and Laue x-ray diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

The experiments were performed on Czochralski-grown Si wafers. The oxygen precipitate sizes and deformation of the surrounding lattice was determined from diffuse x-ray scattering aroung reciprocal lattice points. In the Laue diffraction the precipitatesize and concentration can be determined from the simultaneous measurement of diffracted and transmitted beam intensity.

Název v anglickém jazyce

Study of oxygen precipitates in silicon using Bragg and Laue x-ray diffraction

Popis výsledku anglicky

The experiments were performed on Czochralski-grown Si wafers. The oxygen precipitate sizes and deformation of the surrounding lattice was determined from diffuse x-ray scattering aroung reciprocal lattice points. In the Laue diffraction the precipitatesize and concentration can be determined from the simultaneous measurement of diffracted and transmitted beam intensity.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů