Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F10%3A00046560" target="_blank" >RIV/00216224:14310/10:00046560 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
Popis výsledku v původním jazyce
As a part of a complex study of nucleation and growth of oxygen precipitates in Czochralski-grown silicon this work reports our latest results obtained by TEM.
Název v anglickém jazyce
Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
Popis výsledku anglicky
As a part of a complex study of nucleation and growth of oxygen precipitates in Czochralski-grown silicon this work reports our latest results obtained by TEM.
Klasifikace
Druh
O - Ostatní výsledky
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F09%2F1013" target="_blank" >GA202/09/1013: Nukleace a růst kyslíkových precipitátů v křemíku</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů