Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F12%3A00058147" target="_blank" >RIV/00216224:14310/12:00058147 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68081723:_____/12:00378029 RIV/00216224:14740/12:00065985
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063" target="_blank" >10.1016/j.physb.2011.08.063</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods
Popis výsledku v původním jazyce
We have investigated oxygen precipitation in Czochralski silicon wafers focusing on influence of nucleation temperature and high temperature pre-anneal during common three step treatment.
Název v anglickém jazyce
Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods
Popis výsledku anglicky
We have investigated oxygen precipitation in Czochralski silicon wafers focusing on influence of nucleation temperature and high temperature pre-anneal during common three step treatment.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)