THE EFFECT OF SURFACE CLEANING AND REMOVING OF ORGANIC CONTAMINANTS FROM SILICON SUBSTRATES AND ITO GLASS BY ATMOSPHERIC PRESSURE NON-THERMAL PLASMA
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F12%3A00064658" target="_blank" >RIV/00216224:14310/12:00064658 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
THE EFFECT OF SURFACE CLEANING AND REMOVING OF ORGANIC CONTAMINANTS FROM SILICON SUBSTRATES AND ITO GLASS BY ATMOSPHERIC PRESSURE NON-THERMAL PLASMA
Popis výsledku v původním jazyce
Plasma generated by DCSBD was investigated for cleaning and removing of organic contaminants from semiconductor materials. ITO glass used in photovoltaics and three types of most often used silicon surfaces in semiconductor industry ? precleaned silicon,thermally oxidized silicon and H-terminated silicon was studied. The changes in chemical bonds on silicon surfaces were investigated by FTIR. Removing of IPA from silicon substrates was observed by XPS measurements. Effectivity of DCSBD as cleaning agent in comparison with isopropylacohol was investigated on ITO glass samples by XPS measurement.
Název v anglickém jazyce
THE EFFECT OF SURFACE CLEANING AND REMOVING OF ORGANIC CONTAMINANTS FROM SILICON SUBSTRATES AND ITO GLASS BY ATMOSPHERIC PRESSURE NON-THERMAL PLASMA
Popis výsledku anglicky
Plasma generated by DCSBD was investigated for cleaning and removing of organic contaminants from semiconductor materials. ITO glass used in photovoltaics and three types of most often used silicon surfaces in semiconductor industry ? precleaned silicon,thermally oxidized silicon and H-terminated silicon was studied. The changes in chemical bonds on silicon surfaces were investigated by FTIR. Removing of IPA from silicon substrates was observed by XPS measurements. Effectivity of DCSBD as cleaning agent in comparison with isopropylacohol was investigated on ITO glass samples by XPS measurement.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED2.1.00%2F03.0086" target="_blank" >ED2.1.00/03.0086: Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
CHEMICKÉ LISTY
ISSN
0009-2770
e-ISSN
—
Svazek periodika
106
Číslo periodika v rámci svazku
S
Stát vydavatele periodika
CZ - Česká republika
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
1455-1459
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—