Tuning of the valence band mixing of excitons confined in GaAs/AlGaAs quantum dots via piezoelectric-induced anisotropic strain

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F13%3A00107017" target="_blank" >RIV/00216224:14310/13:00107017 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://journals.aps.org/prb/pdf/10.1103/PhysRevB.87.075311" target="_blank" >https://journals.aps.org/prb/pdf/10.1103/PhysRevB.87.075311</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.87.075311" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.87.075311</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Tuning of the valence band mixing of excitons confined in GaAs/AlGaAs quantum dots via piezoelectric-induced anisotropic strain

Popis výsledku v původním jazyce

This work presents an experimental method to tune the degree of heavy-hole (HH) and light-hole (LH) mixing of the ground state of quantum dots (QDs). A ferroelectric crystal is used to apply reversible anisotropic biaxial stress to thin nanomembranes, containing GaAs/AlGaAs QDs. The stress-induced modification of the QD anisotropy leads to a change of the relative intensity of the two emission lines produced by the recombination of neutral bright excitonic states. Such a change is ascribed to a variation of the degree of HH-LH mixing. At the same time the modified anisotropy produces a change of the excitonic fine structure splitting (FSS). Model calculations provide a qualitative insight into the relation between strain, HH-LH mixing, and the FSS in epitaxial GaAs/AlGaAs QDs.

Název v anglickém jazyce

Tuning of the valence band mixing of excitons confined in GaAs/AlGaAs quantum dots via piezoelectric-induced anisotropic strain

Popis výsledku anglicky

This work presents an experimental method to tune the degree of heavy-hole (HH) and light-hole (LH) mixing of the ground state of quantum dots (QDs). A ferroelectric crystal is used to apply reversible anisotropic biaxial stress to thin nanomembranes, containing GaAs/AlGaAs QDs. The stress-induced modification of the QD anisotropy leads to a change of the relative intensity of the two emission lines produced by the recombination of neutral bright excitonic states. Such a change is ascribed to a variation of the degree of HH-LH mixing. At the same time the modified anisotropy produces a change of the excitonic fine structure splitting (FSS). Model calculations provide a qualitative insight into the relation between strain, HH-LH mixing, and the FSS in epitaxial GaAs/AlGaAs QDs.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10300 - Physical sciences

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F09%2F0676" target="_blank" >GA202/09/0676: Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

2469-9969

Svazek periodika

87

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1-5

Kód UT WoS článku

000314874800015

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84874535216