Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Excitonic effects at the temperature-dependent direct bandgap of Ge

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F22%3A00125891" target="_blank" >RIV/00216224:14310/22:00125891 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0080158" target="_blank" >https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/5.0080158</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0080158" target="_blank" >10.1063/5.0080158</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Excitonic effects at the temperature-dependent direct bandgap of Ge

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The temperature dependence of the complex dielectric function ????1+????????2 of bulk Ge near the direct bandgap was investigated with spectroscopic ellipsometry at temperatures between 10 and 710 K. Second derivatives of the dielectric function with respect to energy are obtained using a digital linear filter method. A model that incorporates excitonic effects using the Tanguy model for the Hulthén potential [C. Tanguy, Phys. Rev. B 60, 10660 (1999)] was used to fit the dielectric function and its second derivatives simultaneously. Using ????⋅???? theory and literature values for effective masses, reasonable agreement with the experiment is obtained for ????2 up to room temperature using the direct bandgap and its broadening as the only adjustable parameters.

  • Název v anglickém jazyce

    Excitonic effects at the temperature-dependent direct bandgap of Ge

  • Popis výsledku anglicky

    The temperature dependence of the complex dielectric function ????1+????????2 of bulk Ge near the direct bandgap was investigated with spectroscopic ellipsometry at temperatures between 10 and 710 K. Second derivatives of the dielectric function with respect to energy are obtained using a digital linear filter method. A model that incorporates excitonic effects using the Tanguy model for the Hulthén potential [C. Tanguy, Phys. Rev. B 60, 10660 (1999)] was used to fit the dielectric function and its second derivatives simultaneously. Using ????⋅???? theory and literature values for effective masses, reasonable agreement with the experiment is obtained for ????2 up to room temperature using the direct bandgap and its broadening as the only adjustable parameters.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/EF18_053%2F0016952" target="_blank" >EF18_053/0016952: Postdoc2MUNI</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Applied Physics

  • ISSN

    0021-8979

  • e-ISSN

    1089-7550

  • Svazek periodika

    131

  • Číslo periodika v rámci svazku

    16

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

    1-10

  • Kód UT WoS článku

    000793144600002

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85129186351