WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F24%3A00137582" target="_blank" >RIV/00216224:14310/24:00137582 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-024-08038-w" target="_blank" >https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-024-08038-w</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1007/s00339-024-08038-w" target="_blank" >10.1007/s00339-024-08038-w</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

Popis výsledku v původním jazyce

Well-defined ferromagnetism (FM) with a very high Tc of about 800 K was found in laser-ablated WO3 films grown on Si wafer substrates. It seems that the observed magnetism is surface related, and oxygen vacancies might play an important role in inducing FM into these oxide semiconductors. The very high Tc FM is observed for the first time in nanosized-WO3, indicating a great potential for spintronic applications.

Název v anglickém jazyce

WO3 thin films grown on Si substrates: potential high Tc ferromagnetic semiconductors

Popis výsledku anglicky

Well-defined ferromagnetism (FM) with a very high Tc of about 800 K was found in laser-ablated WO3 films grown on Si wafer substrates. It seems that the observed magnetism is surface related, and oxygen vacancies might play an important role in inducing FM into these oxide semiconductors. The very high Tc FM is observed for the first time in nanosized-WO3, indicating a great potential for spintronic applications.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics A

ISSN

0947-8396

e-ISSN

1432-0630

Svazek periodika

130

Číslo periodika v rámci svazku

12

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

867

Kód UT WoS článku

001351627200001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-105002088013