Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F12%3A00057272" target="_blank" >RIV/00216224:14740/12:00057272 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no" target="_blank" >http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995" target="_blank" >10.1063/1.3677995</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs
Popis výsledku v původním jazyce
The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.
Název v anglickém jazyce
Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs
Popis výsledku anglicky
The nucleation of the one dimensional periodic surface corrugations that form during epitaxy along the [-110] direction on the In0.48Ga0.52 P lattice matched to (001) GaAs is investigated using x-ray diffuse scattering in the grazing incidence geometry.

Projekt
<a href="/cs/project/GP202%2F09%2FP410" target="_blank" >GP202/09/P410: Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích</a>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP) Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ) S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku