Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F12%3A00067863" target="_blank" >RIV/00216224:14740/12:00067863 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6400698</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/SMICND.2012.6400698" target="_blank" >10.1109/SMICND.2012.6400698</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
Popis výsledku v původním jazyce
In the quest for a Ge x-ray detector monolithically integrated onto a Si-CMOS chip we developed a novel method for combining dissimilar materials that may provide a solution to the main problems of heteroepitaxy, e.g. high threading dislocation densities, wafer bowing and cracks.
Název v anglickém jazyce
Three Dimensional Heteroepitaxy: A New Path For Monolithically Integrating Mismatched Materials With Silicon
Popis výsledku anglicky
In the quest for a Ge x-ray detector monolithically integrated onto a Si-CMOS chip we developed a novel method for combining dissimilar materials that may provide a solution to the main problems of heteroepitaxy, e.g. high threading dislocation densities, wafer bowing and cracks.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
2012 International Semiconductor Conference (CAS) Vols 1 and 2
ISBN
9781467307369
ISSN
1545-827X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
45-50
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Sinaia, Romania
Datum konání akce
15. 10. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000314223700006