3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F14%3A00075285" target="_blank" >RIV/00216224:14740/14:00075285 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2013.10.094</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Popis výsledku v původním jazyce
We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.
Název v anglickém jazyce
3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon
Popis výsledku anglicky
We present a method for monolithically integrating mismatched semiconductor materials with Si, coined three-dimensional (3D) heteroepitaxy. The method comprises the replacement of conventional, continuous epilayers by dense arrays of strain- and defect-free, micron-sized crystals.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)