Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F16%3A00089505" target="_blank" >RIV/00216224:14740/16:00089505 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract" target="_blank" >http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504029/abstract</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201504029" target="_blank" >10.1002/adma.201504029</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
Popis výsledku v původním jazyce
Defect-free mismatched heterostructures on Si substrates are produced by an innovative strategy. The strain relaxation is engineered to occur elastically rather than plastically by combining suitable substrate patterning and vertical crystal growth with compositional grading.
Název v anglickém jazyce
Highly Mismatched, Dislocation-Free SiGe/Si Heterostructures
Popis výsledku anglicky
Defect-free mismatched heterostructures on Si substrates are produced by an innovative strategy. The strain relaxation is engineered to occur elastically rather than plastically by combining suitable substrate patterning and vertical crystal growth with compositional grading.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)