Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F16%3A00090003" target="_blank" >RIV/00216224:14740/16:00090003 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges
Popis výsledku v původním jazyce
The stacking faults (SFs) in 3C-SiC epitaxially grown on ridges deeply etched into Si(001) substrates offcut towards [110] were quantitatively analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction.
Název v anglickém jazyce
Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges
Popis výsledku anglicky
The stacking faults (SFs) in 3C-SiC epitaxially grown on ridges deeply etched into Si(001) substrates offcut towards [110] were quantitatively analyzed by electron microscopy and X-ray diffraction.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2016
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku