Raman scattering from Ge nanocrystals on Si substrates: problems and solutions

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F00%3A00000040" target="_blank" >RIV/00216275:25310/00:00000040 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Raman scattering from Ge nanocrystals on Si substrates: problems and solutions

Popis výsledku v původním jazyce

Raman scattering from Ge nanocrystals on Si substrates was studied

Název v anglickém jazyce

Raman scattering from Ge nanocrystals on Si substrates: problems and solutions

Popis výsledku anglicky

Raman scattering from Ge nanocrystals on Si substrates was studied

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2000

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Nanostructures: Physics and Technology

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Ioffe Institute St Petersburg

Místo vydání

St Petersburg, Russia

Místo konání akce

—

Datum konání akce

—

Typ akce podle státní příslušnosti

—

Kód UT WoS článku

—