Optical waveguide based on amorphous Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S(Se) pulsed laser deposited thin films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F10%3A39881276" target="_blank" >RIV/00216275:25310/10:39881276 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optical waveguide based on amorphous Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S(Se) pulsed laser deposited thin films
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with the study of optical waveguides based on amorphous Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S(Se) pulsed laser deposited thin films
Název v anglickém jazyce
Optical waveguide based on amorphous Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S(Se) pulsed laser deposited thin films
Popis výsledku anglicky
The paper deals with the study of optical waveguides based on amorphous Er3+-doped Ga-Ge-Sb-S(Se) pulsed laser deposited thin films

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA104%2F08%2F0229" target="_blank" >GA104/08/0229: Tenké vrstvy deponované pulzními lasery</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Popis výsledku