Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film.

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F10%3A39881718" target="_blank" >RIV/00216275:25310/10:39881718 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61389013:_____/10:00350257
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film.
Popis výsledku v původním jazyce
Virgin GeGaS film is only a little bleached by the illumination with the band gap or over band gap photons while the film annealed in the argon is practically insensitive to such illumination. Illumination by UV photons leads to significant changes in the surface topology of the virgin or annealed film originated from the film oxidation, which is supported by Fourier transform infrared spectroscopy (Ge-O-Ge bridge), the Raman feature (O3Ge-O-GeO3) and (iii) Atomic Force Microscopy (GeO2 microcrystallineparticles).
Název v anglickém jazyce
Oxygen assisted photoinduced changes in Ge39Ga2S59 amorphous thin film.
Popis výsledku anglicky
Virgin GeGaS film is only a little bleached by the illumination with the band gap or over band gap photons while the film annealed in the argon is practically insensitive to such illumination. Illumination by UV photons leads to significant changes in the surface topology of the virgin or annealed film originated from the film oxidation, which is supported by Fourier transform infrared spectroscopy (Ge-O-Ge bridge), the Raman feature (O3Ge-O-GeO3) and (iii) Atomic Force Microscopy (GeO2 microcrystallineparticles).

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)