Study of As50Se50 thin film photodarkening induced by multiple wavelength beams

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F11%3A39892203" target="_blank" >RIV/00216275:25310/11:39892203 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of As50Se50 thin film photodarkening induced by multiple wavelength beams

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with study of photodarkening induced in chalcogenide glass thin films of composition As50Se50. The kinetics of photoinduced changes under the exposures to a band gap monochromatic beam of LED diode, as well as to beams with energy higherand lower than band gap value, were measured and discussed. Mathematical expression describing the time dependences of photodarkening was established. Related structural changes were studied using Raman spectroscopy as well.

Název v anglickém jazyce

Study of As50Se50 thin film photodarkening induced by multiple wavelength beams

Popis výsledku anglicky

This paper deals with study of photodarkening induced in chalcogenide glass thin films of composition As50Se50. The kinetics of photoinduced changes under the exposures to a band gap monochromatic beam of LED diode, as well as to beams with energy higherand lower than band gap value, were measured and discussed. Mathematical expression describing the time dependences of photodarkening was established. Related structural changes were studied using Raman spectroscopy as well.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP204%2F11%2F0832" target="_blank" >GAP204/11/0832: Tvorba optických prvků založená na mikro- a nanostrukturování chalkogenidových vrstev</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

ISSN

1454-4164

e-ISSN

—

Svazek periodika

13

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

RO - Rumunsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

1510-1513

Kód UT WoS článku

000298834200030

EID výsledku v databázi Scopus

—