Up-conversion in Er3 - doped Ge25Ga5Sb5S65 chalcogenide glass for enhancement of silicon solar cell efficiency.

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F12%3A39895779" target="_blank" >RIV/00216275:25310/12:39895779 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Up-conversion in Er3 - doped Ge25Ga5Sb5S65 chalcogenide glass for enhancement of silicon solar cell efficiency.

Popis výsledku v původním jazyce

Er3+-doped Ge25Ga5Sb5S65 chalcogenide glass was studied as a potential material for up-conversion application to enhancement of silicon solar cell efficiency. Thermal properties were studied via DSC measurement, optical properties via variable angle spectroscopic ellipsometry and photoluminescence measurement. The host chalcogenide glass shows good thermal, chemical and physical properties. The band gap energy is ~2.23 eV which allows to emit green and red luminescent light from 4S3/2 ? 4I15/2 and 4F9/2? 4I15/2 4f-4f transitions of Er3+.

Název v anglickém jazyce

Up-conversion in Er3 - doped Ge25Ga5Sb5S65 chalcogenide glass for enhancement of silicon solar cell efficiency.

Popis výsledku anglicky

Er3+-doped Ge25Ga5Sb5S65 chalcogenide glass was studied as a potential material for up-conversion application to enhancement of silicon solar cell efficiency. Thermal properties were studied via DSC measurement, optical properties via variable angle spectroscopic ellipsometry and photoluminescence measurement. The host chalcogenide glass shows good thermal, chemical and physical properties. The band gap energy is ~2.23 eV which allows to emit green and red luminescent light from 4S3/2 ? 4I15/2 and 4F9/2? 4I15/2 4f-4f transitions of Er3+.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

CA - Anorganická chemie

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2012 Symposium on Photonics and Optoelectronics

ISBN

978-1-4577-0911-1

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

566-569

Název nakladatele

IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Shanghai

Datum konání akce

21. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—