Tuning the Temperature Domain of Phonon Drag in Thin Films by the Choice of Substrate

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F13%3A39897309" target="_blank" >RIV/00216275:25310/13:39897309 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.046803" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.046803</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.111.046803" target="_blank" >10.1103/PhysRevLett.111.046803</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Tuning the Temperature Domain of Phonon Drag in Thin Films by the Choice of Substrate

Popis výsledku v původním jazyce

At low temperatures, in reasonably pure conductors subjected to a thermal gradient, charge carriers (electrons and holes) are swept (dragged) by out of equilibrium phonons, giving rise to a large contribution to the Seebeck coefficient called phonon drag. We demonstrate a spectacular influence of substrate phonons on charge carriers in thin films of Bi2Te3. We show that one can control and tune the position and magnitude of the phonon-drag peak over a wide range of temperatures by depositing thin filmson substrates with vastly different Debye temperatures. Our experiments also provide a way to study the nature of the phonon spectrum in thin films, which is rarely probed but clearly important for a complete understanding of thin film properties and theinterplay of the substrate and films.

Název v anglickém jazyce

Tuning the Temperature Domain of Phonon Drag in Thin Films by the Choice of Substrate

Popis výsledku anglicky

At low temperatures, in reasonably pure conductors subjected to a thermal gradient, charge carriers (electrons and holes) are swept (dragged) by out of equilibrium phonons, giving rise to a large contribution to the Seebeck coefficient called phonon drag. We demonstrate a spectacular influence of substrate phonons on charge carriers in thin films of Bi2Te3. We show that one can control and tune the position and magnitude of the phonon-drag peak over a wide range of temperatures by depositing thin filmson substrates with vastly different Debye temperatures. Our experiments also provide a way to study the nature of the phonon spectrum in thin films, which is rarely probed but clearly important for a complete understanding of thin film properties and theinterplay of the substrate and films.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review Letters

ISSN

0031-9007

e-ISSN

—

Svazek periodika

111

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"046803-1"-"046803-5"

Kód UT WoS článku

000327536900012

EID výsledku v databázi Scopus

—