Local structure of epitaxial GeTe and Ge2Sb2Te5 films grown on InAs and Si substrates with (100) and (111) orientations: An x-ray absorption near-edge structure study
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F15%3A39901036" target="_blank" >RIV/00216275:25310/15:39901036 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4916529" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4916529</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4916529" target="_blank" >10.1063/1.4916529</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Local structure of epitaxial GeTe and Ge2Sb2Te5 films grown on InAs and Si substrates with (100) and (111) orientations: An x-ray absorption near-edge structure study
Popis výsledku v původním jazyce
GeTe is an end-point of the GeTe-Sb2Te3 quasibinary alloys often referred to as phase-change memory materials. The polycrystalline nature of the crystalline films used in devices and the concomitant presence of grain boundaries complicate detailed structural studies of the local structure. Recent progress in the epitaxial growth of phase-change materials offers unique possibilities for precise structural investigations. In this work, we report on results of x-ray absorption near-edge structure (XANES) studies of GeTe and Ge2Sb2Te5 epitaxial films grown on Si and InAs substrates with (100) and (111) orientations. The results show a strong dependence of the local structure on the substrate material and especially orientation and are discussed in conjunction with polycrystalline samples and ab-initio XANES simulations.
Název v anglickém jazyce
Local structure of epitaxial GeTe and Ge2Sb2Te5 films grown on InAs and Si substrates with (100) and (111) orientations: An x-ray absorption near-edge structure study
Popis výsledku anglicky
GeTe is an end-point of the GeTe-Sb2Te3 quasibinary alloys often referred to as phase-change memory materials. The polycrystalline nature of the crystalline films used in devices and the concomitant presence of grain boundaries complicate detailed structural studies of the local structure. Recent progress in the epitaxial growth of phase-change materials offers unique possibilities for precise structural investigations. In this work, we report on results of x-ray absorption near-edge structure (XANES) studies of GeTe and Ge2Sb2Te5 epitaxial films grown on Si and InAs substrates with (100) and (111) orientations. The results show a strong dependence of the local structure on the substrate material and especially orientation and are discussed in conjunction with polycrystalline samples and ab-initio XANES simulations.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
CA - Anorganická chemie
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/ED4.100%2F11.0251" target="_blank" >ED4.100/11.0251: CEMNAT ? Centrum materiálů a nanotechnologií</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2015
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
—
Svazek periodika
117
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
"125308-1"-"125308-6"
Kód UT WoS článku
000352315700055
EID výsledku v databázi Scopus
—