Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Structural, vibrational, and electrical study of compressed BiTeBr

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F16%3A39901244" target="_blank" >RIV/00216275:25310/16:39901244 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.024110" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.024110</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.93.024110" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.93.024110</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Structural, vibrational, and electrical study of compressed BiTeBr

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Compresed BiTeBr has been studied from a joint experimental and theoretical perspective. Room-temperature x-ray diffraction, Raman scattering, and transport measurements at high pressures have been performed in this layered semiconductor and interpreted with the help of ab initio calculations. A reversible first-order phase transition has been observed above 6-7 GPa, but changes in structural, vibrational, and electrical properties have also been noted near 2 GPa. Structural and vibrational changes are likely due to the hardening of interlayer forces rather than to a second-order isostructural phase transition while electrical changes are mainly attributed to changes in the electron mobility. The possibility of a pressure-induced electronic topological transition and of a pressure-induced quantum topological phase transition in BiTeBr and other bismuth tellurohalides, like BiTeI, is also discussed.

  • Název v anglickém jazyce

    Structural, vibrational, and electrical study of compressed BiTeBr

  • Popis výsledku anglicky

    Compresed BiTeBr has been studied from a joint experimental and theoretical perspective. Room-temperature x-ray diffraction, Raman scattering, and transport measurements at high pressures have been performed in this layered semiconductor and interpreted with the help of ab initio calculations. A reversible first-order phase transition has been observed above 6-7 GPa, but changes in structural, vibrational, and electrical properties have also been noted near 2 GPa. Structural and vibrational changes are likely due to the hardening of interlayer forces rather than to a second-order isostructural phase transition while electrical changes are mainly attributed to changes in the electron mobility. The possibility of a pressure-induced electronic topological transition and of a pressure-induced quantum topological phase transition in BiTeBr and other bismuth tellurohalides, like BiTeI, is also discussed.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BE - Teoretická fyzika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2016

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B

  • ISSN

    2469-9950

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    93

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    11

  • Strana od-do

    "024110-1"-"024110-11"

  • Kód UT WoS článku

    000368294500004

  • EID výsledku v databázi Scopus